Podczas Solid-State Circuits Conference Toshiba przedstawiła 128-megabitowe układy pamięci z komórkami o zmiennej pojemności binarnej.

W komórkach takich można w zależności od potrzeb przechowywać od jednego do kilku (zazwyczaj czterech) bitów danych.

Japońska firma poinformowała, że czas dostępu do danych wynosi 18,5 nanosekund. Takashi Ohsawa z SoC Research Development Center Toshiby powiedział, iż inżynierowie wątpili dotychczas, czy w układach z komórkami o zmiennej pojemności binarnej uda się osiągnąć dużą gęstość zapisu. Toshiba udowodniła, że jest to możliwe.

Pamięci wspomnianego typu są bardzo odporne na czynniki zewnętrzne i w związku z tym przechowywane przez nie dane są bezpieczne.